深圳市创芯联盈电子有限公司

    Infineon MOS管规格：

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：20V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.2A（Ta）

    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.7V，4.5V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：250 毫欧 @ 930mA，4.5V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：700mV @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：3.9nC @ 4.5V

    Vgs（最大值）：±12V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：110pF @ 15V

    FET 功能：-

    功率耗散（最大值）：540mW（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：Micro3?/SOT-23

    封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3