深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO4444L场效应管规格：

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：80V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Ta）

    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 11A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.8V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：46nC @ 10V

    Vgs（最大值）：±25V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2865pF @ 40V

    FET 功能：-

    功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SOIC

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）