深圳市创芯联盈电子有限公司

    意法半导体场效应管代理介绍：

    型号：STF13NM60N

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：600V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Tc）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：360 毫欧 @ 5.5A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：4V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：30nC @ 10V

    Vgs（值）：±25V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：790pF @ 50V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：25W（Tc）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：通孔

    供应商器件封装：TO-220FP

    封装/外壳：TO-220-3 整包

    场效应管的作用：

    1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

    2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

    3、场效应管可以用作可变电阻。

    4、场效应管可以方便地用作恒流源。

    5、场效应管可以用作电子开关。