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深圳市创芯联盈电子有限公司
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产品信息
IR MOS管规格：
规格：IRLML2030TRPBF
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.7A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）：4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：100 毫欧 @ 2.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：2.3V @ 25?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：1nC @ 4.5V
Vgs（值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：110pF @ 15V
FET 功能：-
功率耗散（值）：1.3W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：Micro3™/SOT-23
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
