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    AO4606场效应管采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 互补MOSFET可用于形成电平移位的高侧开关，并用于许多其他应用。

    AO4606场效应管参数：

    制造商零件编号：AO4606

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC

    FET 类型：2 个 P 沟道（双）

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：30V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：25 毫欧 @ 6A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：19nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1250pF @ 15V

    功率 - 值：2W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    工作原理：

    场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

    在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。