深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO4701场效应管参数：

    FET 类型：P 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5A（Ta）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：2.5V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：49 毫欧 @ 5A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：1.3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：9.5nC @ 4.5V

    Vgs（值）：±12V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：952pF @ 15V

    FET 功能：肖特基二极管（隔离式）

    功率耗散（值）：2W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SOIC

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    场效应管的使用注意事项：

    为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，漏源电压、栅源电压和电流等参数的极限值。

    各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。

    在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸5毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。