深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO4818L场效应管规格：

    FET 类型：2 个 N 沟道（双）

    FET 功能：标准

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：19 毫欧 @ 8A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：2.4V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：18nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：888pF @ 15V

    功率 - 值：2W

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SO

    场效应管的参数：

    ① 开启电压VGS(th) (或VT)

    开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的，场效应管不能导通

    ② 夹断电压VGS(off) (或VP)

    夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时，漏极电流为零

    ③ 饱和漏极电流IDSS

    耗尽型场效应三极管，当VGS=0时所对应的漏极电流

    ④ 输入电阻RGS

    场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅场型效应三极管，RGS约是109～1015Ω

    ⑤ 低频跨导gm

    低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与电子管的控制作用十分相像。gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)

    ⑥ 漏极功耗PDM

    漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当