深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO4821L场效应管参数：

    FET 类型：2 个 P 沟道（双）

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源电压（Vdss）：12V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9A

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：19 毫欧 @ 9A，4.5V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：850mV @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：23nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：2100pF @ 6V

    功率 - 值：2W

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SO

    估测场效应管的放大能力：

    将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。

    由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。

    本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。

    MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。