深圳市创芯联盈电子有限公司

    AOD452场效应管参数：

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：25V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：55A（Tc）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：8.5 毫欧 @ 30A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：32nC @ 10V

    Vgs（值）：±20V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：1476pF @ 12.5V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：2.5W（Ta），51.5W（Tc）

    工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

    封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

    功率MOSFET的工作原理：

    截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。

    导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面

    当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。