深圳市创芯联盈电子有限公司

    AOD480场效应管参数：

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：25A（Tc）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：23 毫欧 @ 20A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：14nC @ 10V

    Vgs（值）：±20V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：820pF @ 15V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：2.5W（Ta），21W（Tc）

    工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

    封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

    MOS场效应管的检测方法：

    （1）．准备工作

    测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。

    （2）．判定电极

    将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。

    （3）．检查放大能力（跨导）

    将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。

    目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。