深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO4444场效应管规格：

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：80V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Ta）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：7V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：12 毫欧 @ 11A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3.8V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：46nC @ 10V

    Vgs（值）：±25V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：2865pF @ 40V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：3.1W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SOIC

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    作用:

    场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.