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深圳市创芯联盈电子有限公司
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产品信息
AO4437L场效应管规格：
FET 类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On）：1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：16 毫欧 @ 11A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：47nC @ 4.5V
Vgs（值）：±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：4750pF @ 6V
FET 功能：-
功率耗散（值）：3W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：8-SOIC
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
