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    AO4614B场效应管采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 互补MOSFET可用于H桥，逆变器和其他应用。

    AO4614B场效应管参数：

    制造商零件编号：AO4614B

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC

    FET 类型：N 和 P 沟道

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：40V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A，5A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：30 毫欧 @ 6A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.8nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：650pF @ 20V

    功率 - 值：2W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    怎么判断场效应管好坏的注意事项：

    (1)VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管.对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置.

    (2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用.

    (3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用.例如美国IR公司生产的IRFT001型模块,内部有N沟道、P沟道管各三只,构成三相桥式结构.

    (4)现在市售VNF系列(N沟道)产品,是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管,其工作频率FP=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信号低频跨导gm=2000μS.适用于高速开关电路和广播、通信设备中.