深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO4404B场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷栅极电压低至2.5V。 该设备适合用作负载开关或在PWM应用中。 源引线被分开以允许开尔文连接到源，可用于绕过源电感。 标准产品AO4404B是无铅的（符合ROHS和Sony 259规范）。

    AO4404B场效应管参数：

    FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

    漏源极电压 (Vdss)：30V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.5A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：24 毫欧 @ 8.5A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：1.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1100pF @ 15V

    功率 - 值：3.1W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    场效应管的作用：

    1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

    2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

    3、场效应管可以用作可变电阻。