深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO4828场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 该器件适合用作负载开关或PWM应用。

    AO4828场效应管规格：

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8-SOIC

    系列：-

    FET 类型：2 个 N 沟道（双）

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：60V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：-

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：56 毫欧 @ 4.5A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.5nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：540pF @ 30V

    功率 - 值：2W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    场效应管的作用：

    1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

    2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

    3、场效应管可以用作可变电阻。

    4、场效应管可以方便地用作恒流源。

    5、场效应管可以用作电子开关。