深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO4425L场效应管参数：

    FET 类型：P 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：38V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：14A（Ta）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：10V，20V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：10 毫欧 @ 14A，20V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3.5V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：63nC @ 10V

    Vgs（值）：±25V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：3800pF @ 20V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：3.1W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SOIC

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    场效应管的使用注意事项：

    为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，漏源电压、栅源电压和电流等参数的极限值。

    各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。

    MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。