深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO4411L场效应管规格：

    FET 类型：P 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A（Ta）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：32 毫欧 @ 8A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：2.4V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：16nC @ 10V

    Vgs（值）：±20V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：760pF @ 15V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：3.1W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SO

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    场效应管使用注意事项：

    （1）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。

    （2）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。

    （3）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。

    （4）. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。