深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO4407L场效应管规格：

    FET 类型：P 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Ta）

    驱动电压（ Rds On， Rds On）：5V，20V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：14 毫欧 @ 10A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：45nC @ 10V

    Vgs（值）：±25V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：2500pF @ 15V

    FET 功能：-

    功率耗散（值）：3.1W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SO

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    MOS场效应晶体管使用注意事项：

    MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：

    （1）. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装

    （2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。

    （3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。