深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO4840L场效应管参数：

    FET 类型：2 个 N 沟道（双）

    FET 功能：标准

    漏源电压（Vdss）：40V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A（Ta）

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：31 毫欧 @ 6A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：3V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：8.3nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：404pF @ 20V

    功率 - 值：2W

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    场效应管的作用：

    1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

    2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

    3、场效应管可以用作可变电阻。

    4、场效应管可以方便地用作恒流源。

    5、场效应管可以用作电子开关。