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深圳市创芯联盈电子有限公司
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产品信息
AO4800场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 这两个MOSFET构成了一个紧凑而高效的开关和同步整流器组合，用于降压转换器。
AO4800场效应管规格：
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.9A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）：27 毫欧 @ 6.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）：1.5V @ 250?A
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）：7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）：630pF @ 15V
功率 - 值：2W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO
