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深圳市创芯联盈电子有限公司
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产品信息
AO3409场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 该器件适合用作负载开关或PWM应用。
AO3409场效应管规格：
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.6A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：130 毫欧 @ 2.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：370pF @ 15V
功率 - 值：1.4W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3
制造商零件编号：AO3409
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23
系列：-
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
