深圳市创芯联盈电子有限公司

    意法半导体MOS管参数：

    型号：STF13NM60N

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：600V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Tc）

    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：360 毫欧 @ 5.5A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：30nC @ 10V

    Vgs（最大值）：±25V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：790pF @ 50V

    FET 功能：-

    功率耗散（最大值）：25W（Tc）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：通孔

    供应商器件封装：TO-220FP

    封装/外壳：TO-220-3 整包