深圳市创芯联盈电子有限公司

    安森美MOS管规格：

    型号：FW297-TL-2W

    FET 类型：2 个 N 沟道（双）

    FET 功能：逻辑电平栅极，4V 驱动

    漏源电压（Vdss）：60V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.5A

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：58 毫欧 @ 4.5A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.6V @ 1mA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：14nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：750pF @ 20V

    功率 - 最大值：1.8W

    工作温度：150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。