深圳市创芯联盈电子有限公司

    仙童MOS管参数：

    型号：FQU1N60C

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：600V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1A（Tc）

    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：11.5 欧姆 @ 500mA，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.2nC @ 10V

    Vgs（最大值）：±30V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：170pF @ 25V

    FET 功能：-

    功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），28W（Tc）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：通孔

    供应商器件封装：I-PAK

    封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

    场效应管的使用注意事项：

    为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。

    各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。

    MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。