深圳市创芯联盈电子有限公司

    仙童场效应管参数：

    型号：FQU1N60C

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：600V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1A（Tc）

    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：11.5 欧姆 @ 500mA，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.2nC @ 10V

    Vgs（最大值）：±30V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：170pF @ 25V

    FET 功能：-

    功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），28W（Tc）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：通孔

    供应商器件封装：I-PAK

    封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

    MOS场效应晶体管使用注意事项：

    MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：

    （1）. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装

    （2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。

    （3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。

    （4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。