深圳市创芯联盈电子有限公司

    仙童场效应管代理介绍：

    型号：FQU1N60C

    FET 类型：N 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：600V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1A（Tc）

    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：11.5 欧姆 @ 500mA，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：6.2nC @ 10V

    Vgs（最大值）：±30V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：170pF @ 25V

    FET 功能：-

    功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），28W（Tc）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：通孔

    供应商器件封装：I-PAK

    封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

    场效应管的分类：

    场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

    按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

    场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。