深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO4427场效应管参数：

    FET 类型：P 沟道

    技术：MOSFET（金属氧化物）

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12.5A（Ta）

    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：12 毫欧 @ 12.5A，20V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250?A

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：52nC @ 10V

    Vgs（最大值）：±25V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2900pF @ 15V

    FET 功能：-

    功率耗散（最大值）：3W（Ta）

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    供应商器件封装：8-SOIC

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    场效应管的使用注意事项规格：

    为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。

    在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸5毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。