深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO4407场效应管结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，可提供极低的RDS（ON）。 该器件非常适用于负载开关和电池保护应用。 *符合RoHS和无卤素标准

    AO4407场效应管参数：

    制造商零件编号：AO4407A

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC

    FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：30V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：11 毫欧 @ 12A，20V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：39nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2600pF @ 15V

    功率 - 最大值：3.1W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC