深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO3419场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。 该器件适合用作负载开关应用。

    AO3419场效应管规格：

    功率 - 最大值：1.4W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

    供应商器件封装：SOT-23-3

    制造商零件编号：AO3419

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23

    FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动

    漏源极电压 (Vdss)：20V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.5A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 3.5A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.6nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：620pF @ 10V