深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO3407场效应管采用先进的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS（ON）。

    AO3407场效应管参数：

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

    供应商器件封装：SOT-23-3

    制造商零件编号：AO3407A

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23

    系列：-

    FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：30V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.3A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：48 毫欧 @ 4.3A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：830pF @ 15V

    功率 - 最大值：1.4W

    AO3407场效应管应用：

    适合用作负载开关或PWM应用。