深圳市创芯联盈电子有限公司

    AO4476场效应管将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的RDS（ON）。 该器件适合用作SMPS和通用应用中的高侧开关.

    AO4476场效应管规格：

    制造商零件编号：AO4476A

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

    FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：30V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：15A（Ta）

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：7.7 毫欧 @ 15A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1380pF @ 15V

    功率 - 最大值：3.1W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    场效应管的作用：

    一、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

    二、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

    三、场效应管可以用作电子开关。