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    场效应晶体管是用载流子实现导电的半导体元器件，依据电流的磁效应用输入电压来调节电子管的输出电流的一种半导体元器件，也被叫做场效应管。
    场效应管的分类
    场效应管有结型、绝缘栅型。结型主要是是有2个PN。绝缘栅型主要是是栅极与别的是有绝缘性的，目前MOS场效管（归入绝缘栅型）使用的比较多。
    场效管的基本参数
    1、饱和漏源电流。
    2、夹断电压。
    3、开启电压。
    4、跨导。
    5、漏源击穿电压。
    6、耗散功率。
    7、漏源电流。
    场效应管的作用
    1、场效应管的放大作用，耦合电容的容量小，放大器的输入抗阻很高。
    2、场效应管对于放大器的阻抗变换作用。
    3、场效应管实际上能够 用于可变电阻。
    4、场效应管能够方便地用于恒流源。
    5、场效应管能够用于电子开关。
    场效应管与晶体管的对比
    （1）场效应管和晶体管根据电流与电压的关系可知，对于信号源来说，电流较少，那么场效应管比较合适，如果电压较低而电流较多，晶体管比较合适。
    （2）场效应管是单极型元件，单极型是双极型元件。场效应管使用多数载流子导电，晶体管使用多数和少数载流子导电。
    （3）场效应管的灵活性比晶体管好。
    （4）场效应管所依赖的电流和电压都可以很低。